Home Arrow Icon Knowledge base Arrow Icon Global Arrow Icon Làm thế nào để hệ thống phân tán nhiệt mới trong thiên hà S25 ngăn ngừa quá nóng


Làm thế nào để hệ thống phân tán nhiệt mới trong thiên hà S25 ngăn ngừa quá nóng


Sê -ri Galaxy S25 kết hợp một hệ thống tản nhiệt tiên tiến được thiết kế để quản lý hiệu quả nhiệt được tạo ra bởi bộ xử lý Snapdragon 8 Elite. Công nghệ làm mát mới này chủ yếu sử dụng cơ chế buồng hơi , đã được tăng cường đáng kể so với các mô hình trước đây.

Các tính năng chính của hệ thống tản nhiệt

1. buồng hơi lớn hơn :
- Galaxy S25 và S25+ có một buồng hơi lớn hơn lớn hơn 15% so với người tiền nhiệm của họ, trong khi S25 Ultra tự hào với buồng hơi ** lớn hơn 40%. Sự gia tăng kích thước này cho phép phân phối và phân phối nhiệt hiệu quả hơn trên thiết bị [1] [5] [7].

2. Vật liệu giao diện nhiệt (TIM) :
- Một vật liệu giao diện nhiệt phù hợp mới đã được giới thiệu, bao gồm chipset. Vật liệu này cải thiện độ dẫn nhiệt, cho phép nhiệt được chuyển khỏi bộ xử lý hiệu quả hơn và giảm khả năng quá nóng trong các nhiệm vụ chuyên sâu như chơi game hoặc xử lý video [6] [9].

3. Cơ chế phân phối nhiệt :
- Thiết kế của hệ thống làm mát đảm bảo rằng nhiệt tan ra từ chip Snapdragon được trải khắp thiết bị, ngăn chặn các điểm nóng cục bộ có thể khiến điện thoại cảm thấy quá ấm khi chạm vào. Cách tiếp cận này giúp duy trì hiệu suất mà không cần điều chỉnh nhanh trong tải [3] [4].

4. Tối ưu hóa hiệu suất :
- Với những cải tiến này, loạt Galaxy S25 được trang bị tốt hơn để duy trì hiệu suất cao trong thời gian dài mà không quá nóng. Hệ thống làm mát được cải thiện cho phép người dùng tham gia vào các ứng dụng sử dụng nhiều bộ xử lý trong khi giảm thiểu các vấn đề nhiệt, do đó nâng cao trải nghiệm người dùng tổng thể [1] [3] [7].

Tóm lại, hệ thống phân tán nhiệt mới của Galaxy S25 tận dụng một buồng hơi lớn hơn và vật liệu nhiệt tiên tiến để quản lý nhiệt hiệu quả, đảm bảo hiệu suất tối ưu ngay cả trong điều kiện sử dụng nặng.

Trích dẫn:
.
.
.
.
[5] https://www.androidfaithful.com/samsung-galaxy-s25/
.
.
.
.